librae8226 / efm32 Goto Github PK

1.L1是0805封装的10uH电感，这个电感的额定电流大概是100mA，而两个LDO的额定电流都是250mA，LDO的转换效率大概在87%左右，所以这个电感显然不能满足需求，考虑到整个电路板的实际功耗至少需要1206封装的电感才勉强能满足需求。另外整个电路板没有直接使用5V的器件，所以这个电感的实际意义不大，可以使用47uF(主意耐压值)和104nF的MLCC电容代替。
2.模块U2在发射瞬间耗电非常大，建议在附近放置10uF以上的电容来降低模块发射时对电源网络的冲击。
3.我没找到数据手册里面复位电路的推荐设计，我没法知道芯片内部复位部分的实现原理，如果这个芯片的复位实现方式与stm32一致的话应考虑去掉C3，这个电容可能会对内部复位电路产生冲击造成复位失败或复位电路永久损坏。最好能找一下手册上相关的部分参考一下。